بررسی ویژگیهای الکتریکی لایه های نازک نانوساختار(altin) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی دوگانه (rf وdc) با تغییر شرایط نهشت
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک
- نویسنده رضا جلالی
- استاد راهنما مجتبی پرهیزکار حمید نقش آرا
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1392
چکیده
نتایج بررسی ها نشان می دهد که با افزایش فلوی گاز نیتروژن، مقاومت الکتریکی و مقاومت ویژه لایه ها افزایش می یابد. این افزایش مقاومت را می توان به دو عامل نسبت داد : با افزایش فلوی گاز نیتروژن، ترکیبات aln در فیلم، افزایش می یابد با توجه به اینکه aln ماده ای با گاف انرژی بزرگ است، در حالیکه tin یک رسانای خوب است در نتیجه افزایش میزان aln در ترکیب باعث افزایش گاف انرژی ترکیب شده، که این امر باعث افزایش مقاومت الکتریکی لایه می شود و دوم اینکه با افزایش فلوی نیتروژن، اندازه دانه فیلم ها کاهش می یابد. همچنین نتایج بدست آمده نشان می دهد که با افزایش دمای زیرلایه، مقاومت الکتریکی لایه ها کاهش می یابد که این موضوع ناشی از بهبود کیفیت کریستالی فیلم ها، در دماهای بالا است. تغییر توان تخلیه الکتریکی نیز بر روی ویژگی های الکتریکی لایه ها تأثیر می گذارد. با توجه به اینکه در این پژوهش هدف آلومینیومی، به کاتد با جریان ac و هدف تیتانیومی به کاتد با جریان dc متصل می شوند، با افزایش توان تخلیه ac میزان کندوپاش اتمهای آلومینیوم افزایش یافته و باعث افزایش میزان aln در ترکیب لایه می شود و به همین ترتیب افزایش توان dc باعث افزایش کندوپاش اتم های ti می شود و در نتیجه میزان tin در ترکیب فیلم ها افزایش یافته و با توجه به اینکه tinماده ای با گاف انرژی کوچک است افزایش آن در ترکیب لایه، باعث کاهش مقاومت الکتریکی می شود.
منابع مشابه
تهیه لایه های نازک نانو ساختار آلومینیوم نیترید (aln) با روش کندوپاش مگنترونی واکنشی و بررسی ویژگی های الکتریکی آن ها با تغییر شرایط نهشت
آلومینیوم نیترید ( aln )، یکی از جالب توجه ترین نیمه هادی های ترکیبی (iii-v ) با ساختار وورتزیت شش گوشی می باشد، دردهه گذشته با توجه به این واقعیت که این ماده خواص فیزیکی شگفت انگیز گوناگونی مثل گاف انرژی مستقیم (ev 6.2)، نقطه ذوب بالا (k 3273)، هدایت حرارتی بالا (w/mk 285) و ثابت دی الکتریک بسیار بالا (8.5) از خود نشان داده، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. همچنین آلومینیوم نیترید با توجه به...
بررسی ویژگی های ساختاری لایه های نازک نانوساختار (aln) تهیه شده به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی(dc) با تغییر شرایط نهشت
لایه¬ی نازک لایه¬ای از مواد است که ضخامت آن در گستره¬ی کسری ازیک نانومتر تا چند میکرومتر باشد و در¬واقع لایه¬های اتمی به دقت طراحی شده¬ای از انواع مواد اعم ازفلزات ، عایق¬ها و نیمرساناها هستند. نیترید آلومینیوم یکی ازمورد علاقه¬مند ترین نیمرساناهای ترکیبی گروه¬هایiii–v باداشتن ساختار تنگ پکیده ی شش گوشی وورتزیت توجه زیاد پژوهش¬گران را به خود جلب کرده است. روش¬های نهشت مختلفی برای تهیه یaln توسط...
بررسی چقرمگی شکست و حساسیت به نرخ کرنش لایه نازک نیترید تانتالوم تولید شده به روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی
نیترید تانتالوم به دلیل سختی بالا و مقاومت به خوردگی خوب توانسته است توجهات زیادی را به عنوان پوششی مناسب جلب نماید. اما چقرمگی شکست لایه‌های نازک نیترید تانتالوم که یکی از عوامل تاثیرگذار بر طول عمر پوشش است، هنوز به خوبی بررسی نشده است. در این پژوهش، برای نخستین بار، چقرمگی شکست، پلاستیسیته و حساسیت به نرخ کرنش لایه های نازک نیترید تانتالوم به کمک روش نانو فرورونده بررسی و ارزیابی شد. در این ...
متن کاملتهیه فیلم های نازک tialn به روش کندوپاش مگنترونی واکنشی و بررسی خواص الکتریکی و ساختاری آنها
چکیده: کاربرد لایه های نازک نه تنها در اتصال قطعات منفرد به یکدیگر بلکه همچنین در تهیه خود قطعات اعم از فعال و نافعال، امکانات جدید میکروریزه شدن را فراهم آورده است. این امر از آنجا ناشی می شود که یکی از ابعاد (از دیدگاه ماکروسکوپی) تقریباً صفر است، و ضخامت عنصر تنها با ضخامت زیرلایه که فرآیند انباشت روی آن انجام می گیرد، تعیین می شود. لایه های نازک تیتانیوم آلومینیوم نیترید با شیوه های متفاو...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده فیزیک
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023